德国BALLUFF巴鲁夫BSP00H3压力传感器技术参数

德国BALLUFF巴鲁夫BSP00H3压力传感器技术参数

德国BALLUFF巴鲁夫BSP00H3压力传感器它一般采用圆形金属薄膜或镀金属薄膜作为电容器的一个电极，当薄膜感受压力而变形时，薄膜与固定电极之间形成的电容量发生变化，通过测量电路即可输出与电压成一定关系的电信号。电容式压力传感器属于极距变化型电容式传感器，可分为单电容式压力传感器和差动电容式压力传感器 [1] 。根据半导体PN结（或肖特基结）在应力作用下,I-υ特性发生变化的原理制成的各种压敏二极管或晶体管。这种压力敏感元件的性能很不稳定，未得到很大的发展。另一类是根据半导体压阻效应构成的传感器，这是半导体压力传感器的主要品种。早期大多是将半导体应变片粘贴在弹性元件上，制成各种应力和应变的测量仪器。

这种压力传感器结构简单可靠，没有相对运动部件，传感器的压力敏感元件和弹性元件合为一体，免除了机械滞后和蠕变，提高了传感器的性能。半导体的压阻效应 　半导体具有一种与外力有关的特性，随所承受的应力而改变，称为压阻效应。单位应力作用下所产生的电阻率的相对变化，称为压阻系数,以符号π表示。半导体电阻承受应力时所产生的电阻值的变化，主要由电阻率的变化所决定，所以上述压阻效应的表达式也可写在外力作用下,半导体晶体中产生一定的应力(σ)和应变(ε)，它们之间的相互关系，若以半导体所承受的应变来表示压阻效应，则是 墹R/R=Gε称为压力传感器的灵敏因子，它表示在单位应变下所产生的电阻值的相对变化单电容式压力传感器，它由圆形薄膜与固定电极构成。

薄膜在压力的作用下变形，从而改变电容器的容量，其灵敏度大致与薄膜的面积和压力成正比而与薄膜的张力和薄膜到固定电极的距离成反比。另一种型式的固定电极取凹形球面状，膜片为周边固定的张紧平面，膜片可用塑料镀金属层的方法制成。这种型式适于测量低压，并有较高过载能力。还可以采用带活塞动极膜片制成测量高压的单电容式压力传感器。这种型式可减小膜片的直接受压面积，以便采用较薄的膜片提高灵敏度。它还与各种补偿和保护部以及放大电路整体封装在一起，以便提高抗干扰能力。这种传感器适于测量动态高压和对飞行器进行遥测。单电容式压力传感器还有传声器式（即话筒式）和听诊器式等型式

技术参数：

余波 (Ue的百分比) 15 %

关闭延时toff 0.02 ms

安全开关场强Ha 2 kA/m

工作电压Ub 10~30 VDC

应用分类 DC -13

开关频率 30000 Hz

接通延时值 0.02 ms

剩余电流lr 10 µA

无功电流Io，无衰减 3.5 mA

负载电容，在Ue下 1 µF

测量工作电压Ue DC 24 V

测量工作电流Ie 100 mA

测量开关场强Hn 1.2 kA/m

测量短路电流 100 A

测量绝缘电压Ui 75 V DC

电压降，静态， 1 V

输出电阻RA 漏极开路

迟滞H (Hn的百分比) 45 %